BCP68T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 60 MHz
额定电压DC 20.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
BCP68T1G引脚图与封装图 
BCP68T1G引脚图
BCP68T1G封装图
BCP68T1G封装焊盘图
在线购买BCP68T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP68T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BCP68T1G 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 60 MHz, 1.5 W, 1 A, 50 hFE | 搜索库存 |
替代型号BCP68T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP68T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 NPN 20V 1A 1500mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BCP68T1G 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 60 MHz, 1.5 W, 1 A, 50 hFE | 当前型号 |
| 型号： BCP68T1 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 20V 1A | 类似代替 | 中功率NPN硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT | BCP68T1G和BCP68T1的区别 |
| 型号： SBCP68T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 1500mW | 类似代替 | NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor | BCP68T1G和SBCP68T1G的区别 |
| 型号： BCP68 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN | 类似代替 | 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 1.5 W, 1 A, 60 hFE | BCP68T1G和BCP68的区别 |