
频率 50 MHz
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.63 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCP53-16T3G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BCP53-16T3G 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -1.5 A, 25 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCP53-16T3G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-223 PNP 1500mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BCP53-16T3G 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -1.5 A, 25 hFE | 当前型号 | |
型号: SBCP53-16T1G 品牌: 安森美 封装: TO-261-4 PNP 1500mW | 类似代替 | BCP53 系列 80 V 1.5 A PNP 表面贴装 硅 外延 晶体管 - SOT-223 | BCP53-16T3G和SBCP53-16T1G的区别 | |
型号: BCP53-16@115 品牌: 恩智浦 封装: PNP | 类似代替 | BCP53-16@115 | BCP53-16T3G和BCP53-16@115的区别 | |
型号: BCP53-16T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 PNP -80V -1.5A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP53-16T1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -1.5 A, 100 hFE | BCP53-16T3G和BCP53-16T1G的区别 |