BCP56-16T3G中文资料参数规格
技术参数
频率 130 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.63 mm
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BCP56-16T3G引脚图与封装图 
BCP56-16T3G引脚图
BCP56-16T3G封装图
BCP56-16T3G封装焊盘图
在线购买BCP56-16T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP56-16T3G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新 | 搜索库存 |
替代型号BCP56-16T3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP56-16T3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新 | 当前型号 |
| 型号： SBCP56-16T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 1500mW | 完全替代 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | BCP56-16T3G和SBCP56-16T1G的区别 |
| 型号： BCP56-16T1 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A | 完全替代 | NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor | BCP56-16T3G和BCP56-16T1的区别 |
| 型号： BCP56-16T3 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A | 完全替代 | NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor | BCP56-16T3G和BCP56-16T3的区别 |