BCP56-10T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 130 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
额定功率 1.5 W
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 63
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
BCP56-10T1G引脚图与封装图 
BCP56-10T1G引脚图
BCP56-10T1G封装焊盘图
在线购买BCP56-10T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP56-10T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-10T1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 63 hFE | 搜索库存 |
替代型号BCP56-10T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP56-10T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-10T1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 63 hFE | 当前型号 |
| 型号： BCP56-16T3 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A | 完全替代 | NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor | BCP56-10T1G和BCP56-16T3的区别 |
| 型号： BCP56T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BCP56T1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE | BCP56-10T1G和BCP56T1G的区别 |
| 型号： BCP56-16T3G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新 | BCP56-10T1G和BCP56-16T3G的区别 |