BF821,235
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BF821,235中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
最大电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF821,235引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BF821,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF821,235 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 PNP | 当前型号 | TO-236AB PNP 300V 0.05A | 当前型号 |
| 型号： BF821,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 0.25W | 完全替代 | NXP BF821,215 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE | BF821,235和BF821,215的区别 |
| 型号： MMBTA92-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 PNP 300V 500mA 300mW | 功能相似 | 三极管 | BF821,235和MMBTA92-7-F的区别 |