BZX85C5V1 R0
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Taiwan Semiconductor
台湾半导体
电子元器件分类
BZX85C5V1 R0中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1300 mW
测试电流 45 mA
稳压值 5.1 V
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
外形尺寸
封装 DO-41
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
BZX85C5V1 R0引脚图与封装图
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在线购买BZX85C5V1 R0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX85C5V1 R0 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | Diode Zener Single 5.1V 5% 1.3W 2Pin DO-41 T/R | 搜索库存 |
替代型号BZX85C5V1 R0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX85C5V1 R0 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： | 当前型号 | Diode Zener Single 5.1V 5% 1.3W 2Pin DO-41 T/R | 当前型号 |
| 型号： BZX85C5V1-TAP 品牌： 威世 封装： DO-41 5.1V | 功能相似 | 齐纳二极管 1.3W，BZX85 系列，Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | BZX85C5V1 R0和BZX85C5V1-TAP的区别 |