BLF8G20LS-220J

Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 1.8- 2GHz, 220W, 18.9dB, 28V, SOT502B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.81GHz ~ 1.88GHz 18.9dB 55W

得捷:
RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R

RfMW:
RF Power Transistor, 1.8- 2 GHz, 220 W, 18.9 dB, 28V, SOT502B, LDMOS

BLF8G20LS-220J中文资料参数规格

技术参数

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 55 W

增益 18.9 dB

测试电流 1.6 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G20LS-220J引脚图与封装图

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BLF8G20LS-220J	Ampleon USA	RF Power Transistor, 1.8- 2GHz, 220W, 18.9dB, 28V, SOT502B, LDMOS	搜索库存