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BLP10H605Z

BLP10H605Z

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 5W, 22.4dB, 50V, SOT1352-1, LDMOS

RF Mosfet LDMOS(双),共源 860MHz 22.4dB 5W 12-HVSON(6x5)


得捷:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN


立创商城:
BLP10H605Z


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 12-Pin HVSON EP T/R


RfMW:
RF Power Transistor, HF- 1.4 GHz, 5 W, 22.4 dB, 50 V, SOT1352-1, LDMOS


BLP10H605Z中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 5 W

增益 22.4 dB

测试电流 30 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 12

封装 VDFN-12

外形尺寸

封装 VDFN-12

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLP10H605Z引脚图与封装图
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在线购买BLP10H605Z
型号 制造商 描述 购买
BLP10H605Z Ampleon USA RF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 5W, 22.4dB, 50V, SOT1352-1, LDMOS 搜索库存
替代型号BLP10H605Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLP10H605Z

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

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当前型号

型号: BLP10H605AZ

品牌: Ampleon USA

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完全替代

RF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 5W, 22.4dB, 50V, SOT1352-1, LDMOS

BLP10H605Z和BLP10H605AZ的区别