BLP10H605AZ、BLP10H605Z对比区别
型号 BLP10H605AZ BLP10H605Z
描述 RF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 5W, 22.4dB, 50V, SOT1352-1, LDMOSRF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 5W, 22.4dB, 50V, SOT1352-1, LDMOS
数据手册 --
制造商 Ampleon USA Ampleon USA
分类 晶体管晶体管
引脚数 12 12
封装 VDFN-12 VDFN-12
频率 860 MHz 860 MHz
输出功率 5 W 5 W
增益 22.4 dB 22.4 dB
测试电流 30 mA 30 mA
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
额定电压 104 V 104 V
电源电压 50 V 50 V
封装 VDFN-12 VDFN-12
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99