BLP10H603AZ
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Ampleon USA
主动器件
BLP10H603AZ中文资料参数规格
技术参数
频率 860 MHz
输出功率 2.5 W
增益 22.8 dB
测试电流 15 mA
输入电容Ciss 3.4pF @0VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 104 V
电源电压 50 V
封装参数
引脚数 12
封装 VDFN-12
外形尺寸
封装 VDFN-12
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BLP10H603AZ引脚图与封装图
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在线购买BLP10H603AZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLP10H603AZ | Ampleon USA | RF Power Transistor, 0.01 to 1.4GHz, 2.5W, 22.8dB, 50V, SOT1352-1, LDMOS | 搜索库存 |
替代型号BLP10H603AZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLP10H603AZ 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | RF Power Transistor, 0.01 to 1.4GHz, 2.5W, 22.8dB, 50V, SOT1352-1, LDMOS | 当前型号 |
| 型号： BLP10H603Z 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | RF Power Transistor, 0.01 to 1.4GHz, 2.5W, 22.8dB, 50V, SOT1352-1, LDMOS | BLP10H603AZ和BLP10H603Z的区别 |