BLP10H603AZ、BLP10H603Z对比区别

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型号 BLP10H603AZ BLP10H603Z

描述 RF Power Transistor, 0.01 to 1.4GHz, 2.5W, 22.8dB, 50V, SOT1352-1, LDMOSRF Power Transistor, 0.01 to 1.4GHz, 2.5W, 22.8dB, 50V, SOT1352-1, LDMOS

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

引脚数 12 12

封装 VDFN-12 VDFN-12

频率 860 MHz 860 MHz

输出功率 2.5 W 2.5 W

增益 22.8 dB 22.8 dB

测试电流 15 mA 15 mA

输入电容(Ciss) 3.4pF @0V(Vds) 3.4pF @0V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 104 V 104 V

电源电压 50 V 50 V

封装 VDFN-12 VDFN-12

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99