BLF6G20LS-110,118
数据手册.pdf
Ampleon USA
主动器件
BLF6G20LS-110,118中文资料参数规格
技术参数
频率 1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电流 29 A
输出功率 25 W
增益 19 dB
测试电流 900 mA
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-502
外形尺寸
封装 SOT-502
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF6G20LS-110,118引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BLF6G20LS-110,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF6G20LS-110,118 | Ampleon USA | Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B T/R | 搜索库存 |
替代型号BLF6G20LS-110,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF6G20LS-110,118 品牌： Ampleon USA 封装： SOT-502B | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B T/R | 当前型号 |
| 型号： BLF6G20LS-75 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | RF手册第16版 RF Manual 16th edition | BLF6G20LS-110,118和BLF6G20LS-75的区别 |
| 型号： BLF6G20S-45 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor | BLF6G20LS-110,118和BLF6G20S-45的区别 |
| 型号： BLF6G20-110 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor | BLF6G20LS-110,118和BLF6G20-110的区别 |