BLF6G20S-45、BLF6G20LS-110,118、BLF6G20LS-110,112对比区别

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型号 BLF6G20S-45 BLF6G20LS-110,118 BLF6G20LS-110,112

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B T/RTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B Bulk

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Ampleon USA NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

引脚数 - 3 -

封装 - SOT-502 SOT-502-3

安装方式 - - Surface Mount

频率 - 1.93GHz ~ 1.99GHz 1.93GHz ~ 1.99GHz

额定电流 - 29 A 29 A

输出功率 - 25 W 25 W

增益 - 19 dB 19 dB

测试电流 - 900 mA 900 mA

工作温度(Max) - 225 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

额定电压 - 65 V -

漏源极电阻 - - 160 mΩ

阈值电压 - - 2 V

漏源击穿电压 - - 65 V

封装 - SOT-502 SOT-502-3

长度 - - 20.7 mm

宽度 - - 9.91 mm

高度 - - 4.72 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free