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BLF8G20LS-230VJ

BLF8G20LS-230VJ

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 230W, 18dB, 28V, SOT1239B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 1.8A 1.81GHz ~ 1.88GHz 18dB 55W CDFM6


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 1.8 to 2.0 GHz, 230 W, 18 dB, 28 V, SOT1239B, LDMOS


BLF8G20LS-230VJ中文资料参数规格
技术参数

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 55 W

增益 18 dB

测试电流 1.8 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1239

外形尺寸

高度 4.75 mm

封装 SOT-1239

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G20LS-230VJ引脚图与封装图
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在线购买BLF8G20LS-230VJ
型号 制造商 描述 购买
BLF8G20LS-230VJ Ampleon USA RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 230W, 18dB, 28V, SOT1239B, LDMOS 搜索库存
替代型号BLF8G20LS-230VJ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF8G20LS-230VJ

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 230W, 18dB, 28V, SOT1239B, LDMOS

当前型号

型号: BLF8G20LS-230VU

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 230W, 18dB, 28V, SOT1239B, LDMOS

BLF8G20LS-230VJ和BLF8G20LS-230VU的区别