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BLF8G20LS-230VJ、BLF8G20LS-230VU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF8G20LS-230VJ BLF8G20LS-230VU

描述 RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 230W, 18dB, 28V, SOT1239B, LDMOSRF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 230W, 18dB, 28V, SOT1239B, LDMOS

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 7 7

封装 SOT-1239 SOT-1239

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 55 W 55 W

增益 18 dB 18 dB

测试电流 1.8 A 1.8 A

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 28 V 28 V

封装 SOT-1239 SOT-1239

高度 4.75 mm -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free