额定电压DC 20.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF959ZL1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 20V 100mA | 当前型号 | TRANS RF NPN 20V 100mA TO-92 | 当前型号 | |
型号: BF959G 品牌: 安森美 封装: TO-92 20V 100mA | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 20V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | BF959ZL1和BF959G的区别 | |
型号: BF959RL1G 品牌: 安森美 封装: TO-92 20V 100mA | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 20V VHF NPN | BF959ZL1和BF959RL1G的区别 | |
型号: BF959RL1 品牌: 安森美 封装: TO-92 20V 100mA | 完全替代 | TRANS RF NPN 20V 100mA TO-92 | BF959ZL1和BF959RL1的区别 |