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BF1105R,215

BF1105R,215

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NXP(恩智浦) 分立器件

BF1105 系列 7 V 30 mA N沟道 双栅极 MOS-FET - SOT143R

If you"re looking for a MOSFET that is compatible with radio frequency environments, this RF amplifier from Semiconductors is for you! Its maximum power dissipation is 200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. Its maximum frequency is 1000 MHz.

BF1105R,215中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电流 30 mA

针脚数 4

耗散功率 200 mW

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 7 V

增益 20 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BF1105R,215引脚图与封装图
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在线购买BF1105R,215
型号 制造商 描述 购买
BF1105R,215 NXP 恩智浦 BF1105 系列 7 V 30 mA N沟道 双栅极 MOS-FET - SOT143R 搜索库存
替代型号BF1105R,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BF1105R,215

品牌： NXP 恩智浦

封装： SOT143R

当前型号

BF1105 系列 7 V 30 mA N沟道 双栅极 MOS-FET - SOT143R

当前型号

型号： BF1105R

品牌： 恩智浦

封装： SOT-143

功能相似

BF1105R N沟道MOSFET 7V 30mA SOT-143 marking/标记 NA 超高速开关/超低反向电容

BF1105R,215和BF1105R的区别

型号： 934050330215

品牌： 恩智浦

封装：

功能相似

TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 4Pin, FET RF Small Signal

BF1105R,215和934050330215的区别