BF959RL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 1.5 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF959RL1G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BF959RL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF959RL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 20V 100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 20V VHF NPN | 当前型号 |
| 型号： BF959G 品牌： 安森美 封装： TO-92 20V 100mA | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 20V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | BF959RL1G和BF959G的区别 |
| 型号： BF959RL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 20V 100mA | 完全替代 | TRANS RF NPN 20V 100mA TO-92 | BF959RL1G和BF959RL1的区别 |