BF959G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF959G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BF959G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF959G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 20V 100mA | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 20V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | 当前型号 |
| 型号： BF959RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 20V 100mA | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 20V VHF NPN | BF959G和BF959RL1G的区别 |
| 型号： BF959ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 20V 100mA | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 20V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo | BF959G和BF959ZL1G的区别 |