BC846BPDW1T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN, PNP
耗散功率 380 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 380 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.95 mm
封装 SC-70-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC846BPDW1T1G引脚图与封装图 
BC846BPDW1T1G引脚图
BC846BPDW1T1G封装焊盘图
在线购买BC846BPDW1T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC846BPDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC846BPDW1T1G Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 新 | 搜索库存 |
替代型号BC846BPDW1T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： BC846BPDW1T1 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN PNP 65V 100mA | 类似代替 | 双路通用晶体管（ NPN / PNP对偶） Dual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals | BC846BPDW1T1G和BC846BPDW1T1的区别 |
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