BCW32LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 32.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BCW32LT1G引脚图与封装图 
BCW32LT1G引脚图
BCW32LT1G封装焊盘图
在线购买BCW32LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW32LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BCW32LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号BCW32LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW32LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BCW32LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： BCW32@215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 NPN | 类似代替 | BCW32@215 | BCW32LT1G和BCW32@215的区别 |
| 型号： BCW32 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 功能相似 | NXP BCW32 单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 mW, 100 mA, 330 hFE | BCW32LT1G和BCW32的区别 |
| 型号： MUN2140T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59-3 PNP 338mW | 功能相似 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | BCW32LT1G和MUN2140T1G的区别 |