
容差 ±5 %
击穿电压 6.00 V
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 5.6 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZX55C5V6-TR | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZX55C5V6-TR Zener Single Diode, 5.6V, 0.5W1/2W, DO-35, 5%, 2Pins, 175℃ | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZX55C5V6-TR 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-35 6V | 当前型号 | VISHAY BZX55C5V6-TR Zener Single Diode, 5.6V, 0.5W1/2W, DO-35, 5%, 2Pins, 175℃ | 当前型号 | |
型号: BXZ55C5V6 品牌: 台湾半导体 封装: | 功能相似 | DO-35 5.6V 0.5W1/2W | BZX55C5V6-TR和BXZ55C5V6的区别 | |
型号: BZX55-C5V6T/R 品牌: 威世 封装: | 功能相似 | BZX55-Series Small Signal Zener Diodes | BZX55C5V6-TR和BZX55-C5V6T/R的区别 | |
型号: BZX79C5V6-AP 品牌: 美微科 封装: | 功能相似 | DO-35 5.6V 0.5W1/2W | BZX55C5V6-TR和BZX79C5V6-AP的区别 |