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BC847CWT3G

BC847CWT3G

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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT GENRL TRANSISTOR

Compared to other transistors, the NPN general purpose bipolar junction transistor, developed by , can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

BC847CWT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 520

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC847CWT3G引脚图与封装图
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在线购买BC847CWT3G
型号 制造商 描述 购买
BC847CWT3G ON Semiconductor 安森美 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT GENRL TRANSISTOR 搜索库存
替代型号BC847CWT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC847CWT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-70 NPN 150mW

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT GENRL TRANSISTOR

当前型号

型号: BC847CWT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 NPN 45V 100mA 150mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BC847CWT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 420 hFE

BC847CWT3G和BC847CWT1G的区别

型号: SBC847CWT1G

品牌: 安森美

封装: SC-70 NPN 150mW

完全替代

SC-70 NPN 45V 0.1A

BC847CWT3G和SBC847CWT1G的区别

型号: SBC847CWT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 NPN 0.15W

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