![BC849CW,135](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_36/chanpintu/bc849cw135-WHOkhpPJ-zq7gpVJbq.png)
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC849CW,135 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 30V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC849CW,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT323 NPN 200mW | 当前型号 | SC-70 NPN 30V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BC849CW,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 NPN 200mW | 完全替代 | NXP BC849CW,115 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE | BC849CW,135和BC849CW,115的区别 | |
型号: BC847CLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC849CW,135和BC847CLT1G的区别 | |
型号: BC847ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC849CW,135和BC847ALT1G的区别 |