频率 250 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC850BWH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BC850BWH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 250 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC850BWH6327XTSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-323 NPN 250mW | 当前型号 | Infineon BC850BWH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 250 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 | 当前型号 | |
型号: BC847BWH6327XTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-323 NPN 250mW | 完全替代 | Infineon BC847BWH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 250 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 | BC850BWH6327XTSA1和BC847BWH6327XTSA1的区别 | |
型号: BC850BWE6327HTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-323 NPN | 完全替代 | SOT-323 NPN 45V 0.1A | BC850BWH6327XTSA1和BC850BWE6327HTSA1的区别 | |
型号: BC847BWE6327BTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-323 NPN | 完全替代 | SOT-323 NPN 45V 0.1A | BC850BWH6327XTSA1和BC847BWE6327BTSA1的区别 |