BC847BPDW1T3G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 380 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 380 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 380 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
BC847BPDW1T3G引脚图与封装图
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在线购买BC847BPDW1T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847BPDW1T3G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新 | 搜索库存 |
替代型号BC847BPDW1T3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847BPDW1T3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN 380mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新 | 当前型号 |
| 型号： BC847BPDW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 45V 1A 380mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T1G. 晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847BPDW1T3G和BC847BPDW1T1G的区别 |
| 型号： BC847BPDW1T2G 品牌： 安森美 封装： 6-TSSOP NPN PNP 380mW | 功能相似 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | BC847BPDW1T3G和BC847BPDW1T2G的区别 |
| 型号： 100200-4Z50-2 品牌： 安伦 封装： | 功能相似 | Smt Termination 10W 2% Thick Fil | BC847BPDW1T3G和100200-4Z50-2的区别 |