BC847BWT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC847BWT1G引脚图与封装图 
BC847BWT1G引脚图
BC847BWT1G封装焊盘图
在线购买BC847BWT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC847BWT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC847BWT1G 晶体管 双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号BC847BWT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC847BWT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 45V 100mA 150mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC847BWT1G 晶体管 双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC847CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847BWT1G和BC847CLT1G的区别 |
| 型号： BC847ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847BWT1G和BC847ALT1G的区别 |
| 型号： BC847BTT1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 NPN 45V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847BTT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE | BC847BWT1G和BC847BTT1G的区别 |