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BC850B
Diotec Semiconductor 电子元器件分类
BC850B中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

耗散功率 0.25 W

增益频宽积 100 MHz

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BC850B引脚图与封装图
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在线购买BC850B
型号 制造商 描述 购买
BC850B Diotec Semiconductor Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23 搜索库存
替代型号BC850B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC850B

品牌: Diotec Semiconductor

封装:

当前型号

Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23

当前型号

型号: BC847B

品牌: Diotec Semiconductor

封装: SOT-23 0.25W

完全替代

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 45V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BC850B和BC847B的区别

型号: BC850C

品牌: Diotec Semiconductor

封装:

完全替代

Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23

BC850B和BC850C的区别

型号: BC850BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

BC850B和BC850BLT1G的区别