频率 300 MHz
耗散功率 0.25 W
增益频宽积 100 MHz
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
封装 SOT-23
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BC850B | Diotec Semiconductor | Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BC850B 品牌: Diotec Semiconductor 封装: | 当前型号 | Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23 | 当前型号 | |
型号: BC847B 品牌: Diotec Semiconductor 封装: SOT-23 0.25W | 完全替代 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 45V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | BC850B和BC847B的区别 | |
型号: BC850C 品牌: Diotec Semiconductor 封装: | 完全替代 | Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23 | BC850B和BC850C的区别 | |
型号: BC850BLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC850BLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE | BC850B和BC850BLT1G的区别 |