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BC858C
Diotec Semiconductor 电子元器件分类
BC858C中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 mW

增益频宽积 100 MHz

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BC858C引脚图与封装图
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在线购买BC858C
型号 制造商 描述 购买
BC858C Diotec Semiconductor Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23 搜索库存
替代型号BC858C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC858C

品牌: Diotec Semiconductor

封装:

当前型号

Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23

当前型号

型号: BC859C

品牌: Diotec Semiconductor

封装:

完全替代

Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W1/4W; SOT23

BC858C和BC859C的区别

型号: BC858CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -30V -100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC858CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

BC858C和BC858CLT1G的区别