BC857BDW1T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 380mW
击穿电压集电极-发射极 -45.0 V
集电极最大允许电流 0.1A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
BC857BDW1T1G引脚图与封装图 
BC857BDW1T1G引脚图
BC857BDW1T1G封装焊盘图
在线购买BC857BDW1T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC857BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号BC857BDW1T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857BDW1T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 PNP -45V -100mA 380mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC857BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： BC857BDW1T1 品牌： 安森美 封装： SOT-363 Dual P-Channel -45V -100mA | 类似代替 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | BC857BDW1T1G和BC857BDW1T1的区别 |
| 型号： BC857BS@115 品牌： 恩智浦 封装： PNP | 类似代替 | BC857BS@115 | BC857BDW1T1G和BC857BS@115的区别 |
| 型号： BC857BS-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 PNP 200mW | 功能相似 | 三极管 | BC857BDW1T1G和BC857BS-7-F的区别 |