BC817-16LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 500 mA
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 ≤15.0 V
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, ??, Industrial, 车用, Automotive, ????, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC817-16LT1G引脚图与封装图 
BC817-16LT1G引脚图
BC817-16LT1G封装焊盘图
在线购买BC817-16LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC817-16LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC817-16LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号BC817-16LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC817-16LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 500mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC817-16LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： BCX19LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 500mA 0.3W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BCX19LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 225 mW, 500 mA, 40 hFE | BC817-16LT1G和BCX19LT1G的区别 |
| 型号： BC817-25LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BC817-16LT1G和BC817-25LT3G的区别 |