BR93L66FJ-WE2
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
BR93L66FJ-WE2中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 2.00 MHz, 2.00 MHz max
存取时间 200 ns
内存容量 4000 B
存取时间Max 200 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.8V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.38 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BR93L66FJ-WE2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BR93L66FJ-WE2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BR93L66FJ-WE2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS | 搜索库存 |
替代型号BR93L66FJ-WE2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BR93L66FJ-WE2 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 8-SOIC 4000B 5V 2us | 当前型号 | 高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS | 当前型号 |
| 型号： BR93L66F-WE2 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP 4000B 5V 2us | 类似代替 | 高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS | BR93L66FJ-WE2和BR93L66F-WE2的区别 |