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APT5010B2VRG

APT5010B2VRG

数据手册.pdf
APT5010B2VRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 47.0 A

极性 N-CH

输入电容 8.90 nF

栅电荷 470 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 47.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264

外形尺寸

封装 TO-264

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT5010B2VRG引脚图与封装图
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在线购买APT5010B2VRG
型号 制造商 描述 购买
APT5010B2VRG Microsemi 美高森美 T-MAX N-CH 500V 47A 搜索库存
替代型号APT5010B2VRG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT5010B2VRG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-264 N-CH 500V 47A 8.9nF

当前型号

T-MAX N-CH 500V 47A

当前型号

型号: APT5010B2VFRG

品牌: 美高森美

封装: TO-264 N-CH 500V 47A 8.9nF

完全替代

T-MAX N-CH 500V 47A

APT5010B2VRG和APT5010B2VFRG的区别

型号: IXFX48N50Q

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

功能相似

Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3Pin3+Tab PLUS 247

APT5010B2VRG和IXFX48N50Q的区别

型号: APT5010B2VR

品牌: 美高森美

封装:

功能相似

T-MAX N-CH 500V 47A

APT5010B2VRG和APT5010B2VR的区别