AOT20S60L
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOT20S60L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 266 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 1038pF @100VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 266W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AOT20S60L引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AOT20S60L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AOT20S60L 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： TO-220 N-CH 600V 20A | 当前型号 | AOT20S60L 管装 | 当前型号 |
| 型号： FCP16N60N 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 600V 16A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP16N60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 170 mohm, 10 V, 2 V | AOT20S60L和FCP16N60N的区别 |
| 型号： SPP20N65C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF | 功能相似 | 650V,20.7A,N沟道功率MOSFET | AOT20S60L和SPP20N65C3的区别 |
| 型号： STW23NM60N 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 N-Channel 600V 9.5A | 功能相似 | N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET | AOT20S60L和STW23NM60N的区别 |