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AON6520
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

30V,50A,N沟道功率MOSFET

N-Channel 30V 11A Ta, 50A Tc 1.9W Ta, 31W Tc Surface Mount 8-DFN 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 30V 11A/50A 8DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin DFN EP T/R


力源芯城:
30V,50A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 11A DFN5X6


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 11A DFN5X6


AON6520中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.9W Ta, 31W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 1380pF @15VVds

额定功率Max 1.9 W

下降时间 3.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.9W Ta, 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AON6520引脚图与封装图
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