ADS6123IRHBR
TI(德州仪器)
主动器件
ADS6123IRHBR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
位数 12
耗散功率 318 mW
采样率 80 Msps
功耗 318 mW
模数转换数ADC 1
输入数 1
耗散功率Max 440 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 QFN-32
外形尺寸
封装 QFN-32
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ADS6123IRHBR引脚图与封装图 
ADS6123IRHBR引脚图
ADS6123IRHBR封装图
ADS6123IRHBR封装焊盘图
在线购买ADS6123IRHBR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADS6123IRHBR | TI 德州仪器 | 12位， 125/105/80/65 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC 12-BITS, 125/105/80/65 MSPS ADC WITH DDR LVDS/CMOS OUTPUTS | 搜索库存 |
替代型号ADS6123IRHBR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ADS6123IRHBR 品牌： TI 德州仪器 封装： QFN 32Pin | 当前型号 | 12位， 125/105/80/65 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC 12-BITS, 125/105/80/65 MSPS ADC WITH DDR LVDS/CMOS OUTPUTS | 当前型号 |
| 型号： ADS6123IRHBT 品牌： 德州仪器 封装： VQFN-32 32Pin 12Bit | 完全替代 | 12位， 125/105/80/65 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC 12-BITS, 125/105/80/65 MSPS ADC WITH DDR LVDS/CMOS OUTPUTS | ADS6123IRHBR和ADS6123IRHBT的区别 |
| 型号： ADS61B23IRHBT 品牌： 德州仪器 封装： 32VQFN 32Pin 12Bit 3V | 功能相似 | 12位， 80 MSPS ，提供缓冲模拟输入ADC 12-BIT, 80-MSPS ADC WITH BUFFERED ANALOG INPUTS | ADS6123IRHBR和ADS61B23IRHBT的区别 |
| 型号： ADS6125IRHBR 品牌： 德州仪器 封装： VQFN-32 32Pin | 功能相似 | 12位， 125/105/80/65 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC 12-BITS, 125/105/80/65 MSPS ADC WITH DDR LVDS/CMOS OUTPUTS | ADS6123IRHBR和ADS6125IRHBR的区别 |