MTB095N10KRN3
Cystech Electronics
全宇昕
电子元器件分类
MTB095N10KRN3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 100 V
封装参数
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
商品目录 MOS场效应管
漏源电压（Vdss） 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 2.3A
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 130mΩ @ 1.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 1.25W
类型 N沟道
商品编号 C373429
封装规格 SOT-23
MTB095N10KRN3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MTB095N10KRN3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTB095N10KRN3 | Cystech Electronics 全宇昕 | MTB095N10KRN3 编带 | 搜索库存 |