制造商型号: | NTD18N06LT4G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NTD18N06LT4G
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NTD18N06LT4G 中文资料
数据手册PDF
NTD18N06LT4G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 13.5 S
上升时间 79 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
NTD18N06LT4G 引脚图与封装图
NTD18N06LT4G引脚图
NTD18N06LT4G封装图
NTD18N06LT4G封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 3.490207 | 8725.52 |
5000 | 3.315708 | 16578.54 |
12500 | 3.191025 | 39887.81 |
品牌其他型号
NTD18N06LT4G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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