NTMFS4983NFT3G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTMFS4983NFT3G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 7.7 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 24.9 ns
输入电容Ciss 3250pF @15VVds
下降时间 10.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.7W Ta, 38W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-FL
外形尺寸
封装 SO-FL
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
NTMFS4983NFT3G引脚图与封装图
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在线购买NTMFS4983NFT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTMFS4983NFT3G | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET的30 V ， 106 A，单娜????通道， SOA ???? 8 FL Power MOSFET 30 V, 106 A, Single NâChannel, SOâ8 FL | 搜索库存 |
替代型号NTMFS4983NFT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTMFS4983NFT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 功率MOSFET的30 V ， 106 A，单娜????通道， SOA ???? 8 FL Power MOSFET 30 V, 106 A, Single NâChannel, SOâ8 FL | 当前型号 |
| 型号： NTMFS4983NFT1G 品牌： 安森美 封装： SO-8FL N-Channel 30V 48A | 功能相似 | 功率MOSFET,30V,106A,2.1mΩ,单N沟道 | NTMFS4983NFT3G和NTMFS4983NFT1G的区别 |