IRF100S201

Infineon 英飞凌分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

表面贴装型 N 通道 100 V 192A（Tc） 441W（Tc） D²PAK（TO-263AB）

得捷:
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

欧时:
Infineon IRF100S201

立创商城:
N沟道 100V 192A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET, 100V, 192A, 4.2 MOHM, 170 NC QG, D2-PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IRF100S201中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 N-CH

耗散功率 441 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 192A

上升时间 97 ns

输入电容Ciss 9500pF @50VVds

下降时间 100 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 441000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IRF100S201引脚图与封装图

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