PSMN9R5-30YLC,115

Nexperia 安世分立器件

Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN9R5-30YLC,115, 44 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装

N 通道 MOSFET，高达 30V，

得捷:
MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56

欧时:
Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN9R5-30YLC,115, 44 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装

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MOSFET N-Chan 30V 44A 34W lvl MOSFET in LFPAK

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PSMN9R5-30YLC,115中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 34 W

输入电容 681 pF

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 8.8 ns

输入电容Ciss 681pF @15VVds

额定功率Max 34 W

下降时间 4.7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4.1 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

PSMN9R5-30YLC,115引脚图与封装图

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PSMN9R5-30YLC,115	Nexperia 安世	Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN9R5-30YLC,115, 44 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装	搜索库存