2N7000
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
2N7000中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
耗散功率 350 mW
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
输入电容Ciss 20pF @25VVds
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 音频, 信号处理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N7000引脚图与封装图 
2N7000引脚图
在线购买2N7000
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7000 | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92 | 搜索库存 |
替代型号2N7000
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7000 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92-3 | 当前型号 | 小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92 | 当前型号 |
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| 型号： 2N7000G 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 60V 200mA 5ohms 60pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N7000G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V | 2N7000和2N7000G的区别 |
| 型号： 2N7000RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 60V 200mA 5ohms | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 2N7000和2N7000RLRAG的区别 |