NTE108
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NTE Electronics
分立器件
NTE108中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
输入电容 2pF Max
集电极击穿电压 30.0 V
击穿电压集电极-发射极 15.0 V
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92
外形尺寸
封装 TO-92
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 85412900951
NTE108引脚图与封装图 
NTE108引脚图
NTE108封装图
NTE108封装焊盘图
在线购买NTE108
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTE108 | NTE Electronics | NTE ELECTRONICS NTE108 射频晶体管, NPN, 15V, 600MHZ, TO-92 | 搜索库存 |
替代型号NTE108
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTE108 品牌： NTE Electronics 封装： TO-92 NPN 30V 50mA 625mW | 当前型号 | NTE ELECTRONICS NTE108 射频晶体管, NPN, 15V, 600MHZ, TO-92 | 当前型号 |
| 型号： NTE108-1 品牌： NTE Electronics 封装： | 完全替代 | Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 3Pin TO-106 | NTE108和NTE108-1的区别 |
| 型号： NTE107 品牌： NTE Electronics 封装： TO-92 NPN 12V 50mA 200mW | 类似代替 | 双极性晶体管, NPN, 12V, TO-92 | NTE108和NTE107的区别 |
| 型号： NTE229 品牌： NTE Electronics 封装： TO-92 NPN 425mW | 类似代替 | Trans RF BJT NPN 30V 0.05A 425mW 3Pin TO-92 | NTE108和NTE229的区别 |