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NZT751
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -4A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 75MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 75 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.2W Description & Applications| PNP Current Driver Transistor This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important. 描述与应用| PNP电流驱动 这个装置是用于功率放大器,稳压器和开关电路中的速度很重要的地方。

NZT751中文资料参数规格
技术参数

频率 75 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -4.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 40 @2A, 2V

额定功率Max 1.2 W

直流电流增益hFE 75

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

NZT751引脚图与封装图
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在线购买NZT751
型号 制造商 描述 购买
NZT751 Fairchild 飞兆/仙童 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号NZT751
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NZT751

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-223 PNP -60V -4A 1200mW

当前型号

PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: PZT751T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 PNP -60V 2A 800mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  PZT751T1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 75 MHz, 800 mW, -2 A, 40 hFE

NZT751和PZT751T1G的区别

型号: FZT751TA

品牌: 美台

封装: SOT-223 PNP 60V 3A 3000mW

功能相似

FZT751TA 编带

NZT751和FZT751TA的区别

型号: FZT792ATA

品牌: 美台

封装: SOT-223 PNP 70V 2A 2000mW

功能相似

FZT792ATA 编带

NZT751和FZT792ATA的区别