RG2012N-8660-W-T1
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Susumu
被动器件
RG2012N-8660-W-T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
容差 0.05 %
额定功率 125 mW
产品系列 RG
电阻 866 Ω
阻值偏差 ±0.05 %
工作温度Max 155 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.4 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 155℃
温度系数 ±10 ppm/℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape, Tape & Reel TR
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RG2012N-8660-W-T1引脚图与封装图
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在线购买RG2012N-8660-W-T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RG2012N-8660-W-T1 | Susumu | 薄膜电阻器 - SMD 1/8W 866 Ohms 0.05% 0805 10ppm | 搜索库存 |
替代型号RG2012N-8660-W-T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RG2012N-8660-W-T1 品牌： Susumu 封装： 0805 866Ω ±0.05% 125mW | 当前型号 | 薄膜电阻器 - SMD 1/8W 866 Ohms 0.05% 0805 10ppm | 当前型号 |
| 型号： RG2012N-8660-C-T5 品牌： Susumu 封装： 0805 866Ω ±0.25% 125mW 150V | 类似代替 | Thin Film Resistors - SMD 866Ω 0.25% 0.125W1/8W 10ppm | RG2012N-8660-W-T1和RG2012N-8660-C-T5的区别 |
| 型号： RG2012P-8660-B-T1 品牌： Susumu 封装： 0805 866Ω ±0.1% 125mW 150V | 类似代替 | Thin Film Chip Resistors 0805 Size, 0.125W1/8W, 866Ω, 0.1%, 25ppm | RG2012N-8660-W-T1和RG2012P-8660-B-T1的区别 |
| 型号： RG2012P-8660-W-T1 品牌： Susumu 封装： 0805 866Ω ±0.05% 125mW 150V | 类似代替 | Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W1/10W, 866Ω, 0.05%, 25ppm | RG2012N-8660-W-T1和RG2012P-8660-W-T1的区别 |