71V67903S80BQI

Integrated Device Technology 艾迪悌电子元器件分类

Cache SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.2MM HEIGHT, 1MM PITCH, FBGA-165

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 512K x 18 Parallel 100MHz 8ns 165-CABGA 13x15

得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 8ns 165-Pin CABGA Tray

罗切斯特:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-bit 512K x 18 8ns 165-Pin CABGA Tray

71V67903S80BQI中文资料参数规格

技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

引脚数 165

封装 TBGA-165

外形尺寸

长度 15.0 mm

宽度 13.0 mm

高度 0.85 mm

封装 TBGA-165

厚度 1.20 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

71V67903S80BQI引脚图与封装图

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71V67903S80BQI	Integrated Device Technology 艾迪悌	Cache SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.2MM HEIGHT, 1MM PITCH, FBGA-165	搜索库存