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5LN01C-TB-E

5LN01C-TB-E

数据手册.pdf

N 通道功率 MOSFET,50V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

N 通道功率 MOSFET,50V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 5LN01C-TB-E, 100 mA, Vds=50 V, 3引脚 CP封装


得捷:
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 V, 100 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin CP T/R


Allied Electronics:
5LN01C-TB-E N-channel MOSFET Transistor, 0.1 A, 50 V, 3-Pin CP


富昌:
N-Channel 50 V 7.8 Ω 1.57 nC Surface Mount Small Signal Mosfet - SOT-23


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin CP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP


5LN01C-TB-E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 100 mA

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 6.6pF @10VVds

额定功率Max 250 mW

下降时间 105 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

5LN01C-TB-E引脚图与封装图
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