3LP01S-K-TL-E中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 10.4 Ω
耗散功率 150 mW
漏源击穿电压 30 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-523-3
外形尺寸
封装 SOT-523-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
3LP01S-K-TL-E引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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3LP01S-K-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | MOSFET P-CH 30V 0.1A | 搜索库存 |