3LN01M-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
通道数 1
漏源极电阻 5.2 Ω
耗散功率 0.15 W
漏源击穿电压 30 V
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 7pF @10VVds
下降时间 120 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
3LN01M-TL-H引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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3LN01M-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | 30V,0.15A,3.7Ω,小信号N沟道MOSFET | 搜索库存 |