TS613IDT
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
TS613IDT中文资料参数规格
技术参数
供电电流 11 mA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.715 W
共模抑制比 90 dB
转换速率 40.0 V/μs
增益频宽积 130 MHz
输入补偿电压 1 mV
输入偏置电流 5 µA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 130 MHz
耗散功率Max 2000 mW
共模抑制比Min 90 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
TS613IDT引脚图与封装图
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在线购买TS613IDT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TS613IDT | ST Microelectronics 意法半导体 | TS613 系列 6 V 130 MHz 双 宽带 运算放大器 - SOIC-8 | 搜索库存 |
替代型号TS613IDT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TS613IDT 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 40V/us 2Channel | 当前型号 | TS613 系列 6 V 130 MHz 双 宽带 运算放大器 - SOIC-8 | 当前型号 |
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| 型号： TS616IDW 品牌： 意法半导体 封装： TSSOP 8Pin 420V/us 2Channel | 类似代替 | 双宽频带运算放大器具有高输出电流 Dual wide band operational amplifier with high output current | TS613IDT和TS616IDW的区别 |